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新潔能N溝道600-750V系列IGBT產(chǎn)品介紹/型號(hào)推薦/最新IGBT價(jià)格
新潔能提供擊穿電壓等級(jí)范圍為600V至750V的N溝道IGBT器件。在導(dǎo)通壓降與開(kāi)關(guān)損耗之間做出了巧妙權(quán)衡，能夠大幅度提高系統(tǒng)效率。同時(shí)，該系列產(chǎn)品具備良好穩(wěn)定的短路能力，出色的低電磁干擾特性，可靠的開(kāi)關(guān)速度控制力，為設(shè)計(jì)人員在系統(tǒng)可靠性方面設(shè)計(jì)提供充足的保障。廣泛應(yīng)用于不間斷電源（UPS）、太陽(yáng)能逆變器以及所有的硬開(kāi)關(guān)。N溝道600-750V系列IGBT產(chǎn)品封裝范圍包括TO-220、TO-263、TO-251、TO-252、TO-3P、TO-247等。2024-11-20 -
新潔能N溝道和P溝道雙芯場(chǎng)效應(yīng)管（N and P-Channel Dual MOSFET）系列產(chǎn)品介紹
新潔能提供的P型20V~60V 和N型18V~100V的Dual（雙芯）MOSFET產(chǎn)品，通過(guò)將兩顆P型或者N型的功率MOSFET產(chǎn)品以并聯(lián)合封的方式集成到單個(gè)封裝中，極大程度上優(yōu)化了產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，為設(shè)計(jì)人員簡(jiǎn)化電路，提高系統(tǒng)功率密度提供新的選項(xiàng)。該雙芯功率MOSFET產(chǎn)品主要采用Trench以及SGT技術(shù)，設(shè)計(jì)人員可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需求選擇。該類產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電池管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及負(fù)載開(kāi)關(guān)等。2024-11-19 -
新潔能N+P溝道互補(bǔ)式場(chǎng)效應(yīng)管（Complementary MOSFET）系列產(chǎn)品介紹
新潔能N+P溝道互補(bǔ)式場(chǎng)效應(yīng)管（Complementary MOSFET）這種類型的場(chǎng)效應(yīng)管同時(shí)使用N溝道和P溝道場(chǎng)效應(yīng)管，以互補(bǔ)方式連接，以在某些應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)特定優(yōu)勢(shì)。N和P溝道場(chǎng)效應(yīng)管的組合提供了更平衡的性能，并能夠創(chuàng)建不同類型的電路，例如推挽放大器和CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）邏輯門。該類產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制以及電池管理系統(tǒng)等。Complementary MOSFET系列產(chǎn)品封裝外形包括DFN2*2、DFN3.3*3.3、DFN5*6、SOP-8、SOT-23-6L、TO-2522024-11-18 -
新潔能600-650V N溝道第三代超結(jié)TF場(chǎng)效應(yīng)管（N-Channel SJ-III TF MOSFET）系列產(chǎn)品介紹
新潔能研發(fā)團(tuán)隊(duì)持續(xù)創(chuàng)新，在原有SJ MOSFET（超結(jié)MOSFET）技術(shù)的基礎(chǔ)上，通過(guò)進(jìn)一步技術(shù)升級(jí)，推出了新潔能600-650V N溝道第三代超結(jié)TF場(chǎng)效應(yīng)管（N-Channel SJ-III TF MOSFET）系列產(chǎn)品。為了滿足全橋、半橋、LLC諧振開(kāi)關(guān)應(yīng)用中效率及EMI需求，基于新潔能在SJ-III技術(shù)基礎(chǔ)上，在保證良好的導(dǎo)通電阻、極低柵電荷以及出色的開(kāi)關(guān)速度前提下，增強(qiáng)了超結(jié)產(chǎn)品的體二極管反向恢復(fù)特性，綜合優(yōu)化了超結(jié)產(chǎn)品由于體二極管反向恢復(fù)帶來(lái)的損耗以及可靠性問(wèn)題。2024-11-16 -
新潔能500-800V N溝道SJ-III系列功率MOSFET 產(chǎn)品介紹（第三代超結(jié)NMOS管）
新潔能提供擊穿電壓等級(jí)范圍為500V至800V的N溝道SJ-III系列功率MOSFET產(chǎn)品，以良好的導(dǎo)通電阻，極低的柵極電荷，出色的開(kāi)關(guān)速度，以及極具競(jìng)爭(zhēng)力的性價(jià)比，成為開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用中的理想選擇。同時(shí)，新潔能SJ-III系列產(chǎn)品提供雪崩耐量（EAS）以及靜電釋放能力，提高了系統(tǒng)可靠性。此外，該系列產(chǎn)品采用新潔能自主創(chuàng)新技術(shù)，優(yōu)化了產(chǎn)品開(kāi)關(guān)特性，使其在系統(tǒng)應(yīng)用時(shí)具有更好的EMI表現(xiàn)。廣泛應(yīng)用在家用電器驅(qū)動(dòng)、計(jì)算機(jī)電源、UPS、電動(dòng)汽車充電等領(lǐng)域。2024-11-15 -
新潔能30-120V N溝道SGT-II系列功率MOSFET 產(chǎn)品介紹（第二代屏蔽柵溝槽NMOS管）
新潔能提供擊穿電壓等級(jí)范圍為30V至120V的N溝道SGT-II系列功率MOSFET產(chǎn)品具有超低的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）與超低柵極電荷（Qg）的特點(diǎn)，結(jié)合先進(jìn)輕巧緊湊的封裝進(jìn)一步提高了系統(tǒng)的功率密度與能量轉(zhuǎn)換效率。同時(shí)，面向性能與魯棒性要求極為苛刻的低頻應(yīng)用，新潔能N溝道SGT-II系列產(chǎn)品進(jìn)一步優(yōu)化了大電流關(guān)斷能力與靜電防護(hù)能力。2024-11-14 -
用于反向極性保護(hù)電路的MOSFET：新潔能NCE2333Y P溝道場(chǎng)效應(yīng)Mos管
保護(hù)電路免受反極性影響可以在電源軌中使用肖特基二極管，但因其功率耗散、效率不高，所以不做推薦。制作反極性保護(hù)電路的常用方法還有使用簡(jiǎn)單的PMOS MOSFET或NMOS MOSFET。建議使用 PMOS，因?yàn)镻MOS會(huì)切斷正軌，電路不會(huì)獲得任何電壓，如果電路在高直流電壓下工作，則產(chǎn)生有害后果的可能性較小。這里推薦用于反向極性保護(hù)電路的MOSFET：新潔能NCE2333Y P溝道場(chǎng)效應(yīng)Mos管，其工作效能高，能為電路提供非常高效能和穩(wěn)定的電壓和電流。2024-11-13 -
新潔能30-250V N溝道SGT-I系列功率MOSFET 產(chǎn)品介紹（第一代屏蔽柵溝槽NMOS管）
新潔能30-250V N溝道SGT-I系列功率MOSFET產(chǎn)品，以技術(shù)水平和卓越的質(zhì)量管理保證了出色的產(chǎn)品性能和可靠性，在降低系統(tǒng)設(shè)計(jì)難度的同時(shí)，提供了性價(jià)比。針對(duì)電源設(shè)計(jì)領(lǐng)域中，設(shè)計(jì)人員面臨提高系統(tǒng)效率與功率密度，同時(shí)降低系統(tǒng)成本的雙重挑戰(zhàn)，新潔能N溝道SGT-I系列功率MOSFET產(chǎn)品憑借出色的性能優(yōu)勢(shì)可實(shí)現(xiàn)快速硬開(kāi)關(guān)，大幅度增強(qiáng)了應(yīng)用效率，成為該挑戰(zhàn)的完美解決方案。2024-11-12 -
新潔能12-200V N溝道溝槽型場(chǎng)效應(yīng)管（N-Channel Trench MOSFET）系列產(chǎn)品介紹
新潔能12-200V N溝道傳統(tǒng)溝槽型場(chǎng)效應(yīng)管（N-Channel Trench MOSFET）系列產(chǎn)品采用先進(jìn)的工藝制造技術(shù)、更優(yōu)的工藝條件、精細(xì)優(yōu)化的器件結(jié)構(gòu)不斷推進(jìn)產(chǎn)品迭代，具備完善的MOSFET產(chǎn)品矩陣，技術(shù)實(shí)力和銷售規(guī)模處于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先地位。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池管理系統(tǒng)、負(fù)載開(kāi)關(guān)、通信、消費(fèi)電子等各個(gè)領(lǐng)域。新潔能12-200V N-Channel Trench MOSFET系列擁有豐富的封裝外形供客戶選擇2024-11-11 -
新潔能30-100V P溝道第一代屏蔽柵溝槽型場(chǎng)效應(yīng)管（P-Channel SGT-I MOSFET）系列產(chǎn)品介紹
新潔能提供擊穿電壓等級(jí)范圍為-30V至-100V的P溝道SGT-I系列功率MOSFET產(chǎn)品。基于SGT-I技術(shù)的-30~-100V P溝道功率產(chǎn)品提供超低的導(dǎo)通電阻（RDS(on)），為設(shè)計(jì)人員在簡(jiǎn)化系統(tǒng)復(fù)雜度、降低系統(tǒng)總成本的前提下，還進(jìn)一步提高了系統(tǒng)效率與性能。廣泛應(yīng)用于電池保護(hù)、負(fù)載開(kāi)關(guān)、電機(jī)控制及低壓驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用中。P溝道SGT-I系列功率MOSFET封裝范圍包括TO-220、TO-252、TO-263、DFN5*6、SOP-8等多種封裝形式，為設(shè)計(jì)人員優(yōu)化系統(tǒng)提供解決方案。2024-11-07 -
新潔能12-150V P溝道溝槽型場(chǎng)效應(yīng)管（P-Channel Trench MOSFET）系列產(chǎn)品介紹
新潔能提供擊穿電壓等級(jí)范圍為500V至800V的N溝道SJ-III系列功率MOSFET產(chǎn)品，以良好的導(dǎo)通電阻，極低的柵極電荷，出色的開(kāi)關(guān)速度，以及極具競(jìng)爭(zhēng)力的性價(jià)比，成為開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用中的理想選擇。同時(shí)，新潔能SJ-III系列產(chǎn)品提供雪崩耐量（EAS）以及靜電釋放能力，提高了系統(tǒng)可靠性。此外，該系列產(chǎn)品采用新潔能自主創(chuàng)新技術(shù)，優(yōu)化了產(chǎn)品開(kāi)關(guān)特性，使其在系統(tǒng)應(yīng)用時(shí)具有更好的EMI表現(xiàn)。2024-11-06 -
新潔能N-channel SGT MOSFET NCEP0135AK，推薦用于無(wú)刷直流電機(jī)控制中
無(wú)刷直流電機(jī)設(shè)備往往運(yùn)作在各種不同的極端工作環(huán)境中，比如高溫消毒設(shè)備中的溫度達(dá)到了125℃以上，因此我們對(duì)器件的可靠性提出了更高的需求。作為一款可靠性高的mos管，新潔能N-channel SGT MOSFET NCEP0135AK，推薦用于無(wú)刷直流電機(jī)控制中，它能夠使電機(jī)在高效運(yùn)轉(zhuǎn)的前提下實(shí)現(xiàn)低功耗。2024-11-04 -
新潔能NCEP0230D功率 MOSFET：高頻電路中的理想選擇
在高頻電路中，電源類產(chǎn)品內(nèi)部的主要損耗一般來(lái)源于功率MOSFET及磁性器件的損耗，所以MOSFET的選型尤為重要，它不僅決定了電路的性能，還直接關(guān)系到整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。新潔能作為國(guó)內(nèi)MOSFET等半導(dǎo)體功率器件設(shè)計(jì)領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，推出新潔能NCEP0230D功率 MOSFET：高頻電路中的理想選擇，是一款具有卓越性能的MOS管，其采用Super Trench II技術(shù)，經(jīng)過(guò)獨(dú)特優(yōu)化，可提供最高效的高頻率切換性能。2024-11-02 -
新潔能國(guó)產(chǎn)NCE2302低壓MOS管，讓鋰電池保護(hù)板更加穩(wěn)定、可靠
隨著鋰電池市場(chǎng)規(guī)模的擴(kuò)大，鋰電池保護(hù)板的應(yīng)用也逐漸增多。在鋰電池保護(hù)板中，MOS管主要作為開(kāi)關(guān)器件，用于控制電池的充放電路徑的通斷，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)電池的保護(hù)，其性能好壞直接影響鋰電保護(hù)板的工作可靠性。如何選擇一款優(yōu)質(zhì)而可靠的MOS管能給鋰電池保護(hù)板提升保障呢？推薦使用新潔能國(guó)產(chǎn)NCE2302低壓MOS管，讓鋰電池保護(hù)板更加穩(wěn)定、可靠。2024-11-01 -
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愛(ài)普生XV-3510CB陀螺儀傳感器實(shí)現(xiàn)圖像穩(wěn)定與運(yùn)動(dòng)檢測(cè)功能
在當(dāng)今科技日新月異的時(shí)代，傳感器技術(shù)作為連接物理世界與數(shù)字世界的橋梁，正以前所未有的速度推動(dòng)著智能設(shè)備的革新與發(fā)展。之前我們通過(guò)江蘇南山電子的窗口，已經(jīng)對(duì)愛(ài)普生XV-3510CB超小型高精度振動(dòng)陀螺儀傳感器的技術(shù)特點(diǎn)有了深刻的認(rèn)識(shí)。其低功耗和睡眠模式的設(shè)計(jì)，非常適合應(yīng)用于需要高度穩(wěn)定性和精度的場(chǎng)景，特別是在數(shù)字視頻穩(wěn)定器（DVC）與動(dòng)態(tài)穩(wěn)定相機(jī)（DSC）的圖像穩(wěn)定性監(jiān)測(cè)領(lǐng)域，以及具有人機(jī)交互界面的運(yùn)動(dòng)檢測(cè)方面，愛(ài)普生XV-3510CB超小型振動(dòng)陀螺儀傳感器（角速率傳感設(shè)備）均展現(xiàn)了其顯著的應(yīng)用價(jià)值和潛力。2024-10-30 -
國(guó)產(chǎn)P溝道MOS管——新潔能NCE60P04R參數(shù)規(guī)格與應(yīng)用分析
作為一種經(jīng)典MOS管類型，P溝道MOS管的特點(diǎn)通常包括高輸入阻抗和低輸出阻抗，可以實(shí)現(xiàn)電路信號(hào)的放大和調(diào)節(jié)。由于其靈敏度高、響應(yīng)速度快，因此可以在高頻率下使用。相對(duì)于其他類型的場(chǎng)效應(yīng)管，P溝道MOS管在開(kāi)關(guān)電路中具有較低的電壓漂移和噪聲水平。這些特點(diǎn)使得P溝道MOS管在電子領(lǐng)域中有其獨(dú)特的應(yīng)用價(jià)值，尤其是在需要高頻率響應(yīng)和低噪聲的場(chǎng)合。南山電子代理品牌新潔能（NCE）推出的NCE60P04R是一款P溝道增強(qiáng)型功率MOS管，其VDS（漏源電壓）為-60V和ID（漏極電流）為-4.3A2024-10-30 -
新潔能國(guó)產(chǎn)小功率MOS管NCE3018AS，適用于電源開(kāi)關(guān)、硬開(kāi)關(guān)和高頻電路等應(yīng)用
小功率MOS管是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件，具有低電阻、高開(kāi)關(guān)速度和低驅(qū)動(dòng)電壓等優(yōu)點(diǎn)。小功率MOS管的導(dǎo)通電阻一般在幾毫歐到幾十毫歐之間，輸入阻抗高，驅(qū)動(dòng)功率小，因此在作為功率開(kāi)關(guān)使用時(shí)，所需的驅(qū)動(dòng)電流較小，驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單，且具有較高的功率增益和穩(wěn)定性。南山電子代理品牌新潔能（NCE）推出的NCE3018AS是一款漏源電壓達(dá)30V，連續(xù)漏極電流達(dá)18A的小功率MOS管。采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì)，提供優(yōu)異的RDS(ON)和低柵極電荷，確保高效電能轉(zhuǎn)換。2024-10-28 -
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愛(ài)普生防水防塵慣性測(cè)量單元M-G552系列選型手冊(cè)應(yīng)用
愛(ài)普生M-G552系列IMU（慣性測(cè)量單元，慣性測(cè)量模塊）是愛(ài)普生（EPSON）眾多高性能、高精度的慣性傳感器中唯一強(qiáng)調(diào)防水防塵性能的IMU系列號(hào)，具有金屬外殼，特別適用于各種工業(yè)和重型應(yīng)用場(chǎng)合，例如在惡劣的工業(yè)環(huán)境中進(jìn)行設(shè)備監(jiān)測(cè)、控制和導(dǎo)航任務(wù)；其防水防塵性能確保了在潮濕、多塵、甚至惡劣的工業(yè)環(huán)境中也能可靠地運(yùn)行，從而提高了設(shè)備的穩(wěn)定性和使用壽命。此外，M-G552系列IMU還具備高精度的慣性測(cè)量功能，能夠提供準(zhǔn)確的加速度、角速度和姿態(tài)信息，為各種復(fù)雜的應(yīng)用場(chǎng)景提供了強(qiáng)大的技術(shù)支持。2024-10-26 -
新潔能60V功率MOSFET - NCE6080K，具備良好的穩(wěn)定性和一致性等性能優(yōu)勢(shì)
無(wú)錫新潔能（NCE）推出的NCE6080K是一款低壓N溝道場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)，封裝形式為TO-252，具有60V的耐壓值，可以流過(guò)電流最大值為80A。其具有低導(dǎo)通電阻，RDS(on)@Vgs=10V時(shí)僅為8.5mΩ，且閾值電壓低，僅為4V@250uA。新潔能60V功率MOSFET - NCE6080K，具備良好的穩(wěn)定性和一致性，適用于PWM、負(fù)載開(kāi)關(guān)等多種應(yīng)用。其寬溫度工作范圍（-55℃~+175℃）和低功耗設(shè)計(jì)，使得它在各種環(huán)境下都能表現(xiàn)出色。2024-10-26 -
新潔能國(guó)產(chǎn)功率MOSFET - NCE60P12K選型資料/原裝現(xiàn)貨/最新MOS管價(jià)格
南山電子代理的NCE60P12K是由中國(guó)功率器件上市公司新潔能（NCE）推出的一款P溝道MOSFET。采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)設(shè)計(jì)，NCE60P12K的最大耗散功率為45W，最大漏源電壓為60V，連續(xù)漏極電流為12A至20A，閾值電壓為-2.2V，工作溫度范圍為-55℃至175℃。新潔能國(guó)產(chǎn)功率MOSFET - NCE60P12K具有低導(dǎo)通電阻、高耐壓特性、快速開(kāi)關(guān)特性和優(yōu)秀的熱特性，能夠在高溫、高電壓環(huán)境下穩(wěn)定工作，非常適合高電流負(fù)載應(yīng)用。2024-10-25
電子元器件整合供應(yīng)商
