最新上架
更多- 高性能60V/20A MOSFET:新潔能NCE6020AK的技術解析與應用優勢
- SC1808JKNPOWBN220國巨安規電容器選型資料-YAGEO電容代理
- 君耀SMBJ15CA tvs瞬態二極管選型資料/現貨價格/免費樣品-國巨君耀代理商
- 國巨CC0402KRX7R6BB104與基美C0402C104K8RACTU電容器對比分析
- NCEP039N10D:新潔能超級溝槽II代MOSFET的卓越性能與應用
- Yageo高壓柔性端頭電容CS1206JKNPOZBN472參數規格-選型手冊-免費樣品
- 國巨君耀ESD靜電保護期間LBD52A24L01和LBT23C24L02的異同與選型建議
- 國巨君耀tvs二極管:SMAJ6.0CA 與 SMBJ6.0CA的異同及選用指南
- 風華抗浪涌貼片電阻RAG-06K101JT與通用貼片電阻RS-06K101JT對比與選型
- 長晶科技CJ431與CJ431K電壓基準芯片異同點分析與選用建議
超級溝槽功率MOSFET:NCEP3065QU新潔能Mos管中文資料/樣品申請/現貨價格
NCEP3065QU是由新潔能(NCE)生產的高性能N溝道超級溝槽(Super Trench)功率MOSFET,采用先進的超溝槽技術,優化了高頻開關性能,能夠有效降低導通和開關損耗。它適用于高頻開關和同步整流等應用,廣泛應用于電源管理、電機驅動、通信等領域。以下是超級溝槽功率MOSFET:NCEP3065QU新潔能Mos管中文資料:
NCEP3065QU主要參數:
- 漏源電壓(VDS):30V
- 連續漏極電流(ID):65A
- 脈沖漏極電流(IDM):260A
- 導通電阻(RDS(ON)):1.9mΩ @ VGS=10V;3.0mΩ @ VGS=4.5V
- 柵源電壓(VGS):±20V
- 最大功耗(PD):550W
- 單脈沖雪崩能量(EAS):500mJ
- 工作溫度范圍:-55℃至150℃
NCEP3065QU性能特點:
- 低導通損耗:通過超級溝槽(Super Trench)技術優化結構,顯著降低導通電阻(RDS(on)),減少能量損耗。
- 高頻開關性能:低柵極電荷(Qg)和快速開關速度,適合高頻PWM控制或同步整流應用。
- 高可靠性: 耐高溫和抗沖擊能力強,適用于工業與汽車電子等嚴苛環境。
- 優異的封裝:采用DFN3.3X3.3-8L封裝,尺寸僅為3mm x mm毫米,非常適合用于小型電子設備中,該封裝還具有較好的熱性能,可以幫助器件有效地散熱。
- 100% UIS TESTED
- 100% ΔVds TESTED
NCEP3065QU應用場景:
- 電源管理:用于同步整流(如開關電源、快充設備),提升轉換效率。
- 電機驅動:驅動直流電機或步進電機,支持高電流負載和快速響應(如電動工具、工業自動化)。
- 電池保護系統:在電池充放電管理電路中作為高端開關,簡化驅動設計并降低功耗。
- 新能源與汽車電子:適用于車載逆變器、BMS(電池管理系統)及DC-DC轉換器,滿足高可靠性和溫度穩定性需求。
NCEP3065QU采購信息:
- 封裝:DFN3.3X3.3-8L
- 包裝方式:Ø180mm編帶包裝
- 最小包裝量:5k/盤
南山電子是新潔能公司授權代理商,歡迎咨詢選購NCEP3065QU MOS管。如需產品詳細的規格書,請聯系網站客服。