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應(yīng)用于高側(cè)開關(guān)的P溝道MOSFET:新潔能 NCE60P25K MOS管規(guī)格參數(shù)/免費(fèi)樣品/最新價格
高側(cè)開關(guān)就是負(fù)載是接地的,開關(guān)相對于負(fù)載處于高電位。在實(shí)際應(yīng)用中,NMOS作為高側(cè)開關(guān)雖然性能較好,但需要額外的柵極驅(qū)動IC,這使得電路復(fù)雜度和成本增加。相比之下,PMOS作為高側(cè)開關(guān)則更便于控制,對于開通速度、導(dǎo)通內(nèi)阻、過電流能力無細(xì)致需求的場合,PMOS無疑是做開關(guān)的較好選擇。
近年來隨著MOS工藝的升級,PMOS的參數(shù)還是較NMOS差,但導(dǎo)通內(nèi)阻<10m歐的PMOS型號越來越多了,今天就給大家推薦一款應(yīng)用于高側(cè)開關(guān)的P溝道MOSFET:新潔能 NCE60P25K MOS管,作為PMOS管,其不用電荷泵驅(qū)動,簡單方便,還降低成本。
NCE60P25K做高側(cè)開關(guān)的電路:
下圖是NCE60P25K做高側(cè)開關(guān)的電路,CONTROL為控制信號,電平范圍為0~VCC。 CONTROL為0V時,Vgs<導(dǎo)通閥值,PMOS開通,負(fù)載工作。 CONTROL為VCC時,Vgs>導(dǎo)通閥值,PMOS關(guān)斷,負(fù)載停機(jī)。
注意上圖這里的輸入信號 CONTROL,其低電平要保證Vgs能使NCE60P25K開通;又要限制Vgs不能小于手冊上的最小允許電壓,以避免NCE60P25K損壞。
NCE60P25K主要參數(shù):
- 漏源電壓(Vds):-60V
- 導(dǎo)通電阻(RDS(on)):<45mΩ @ VGS=-10V
- 柵極電壓(Vgs):±20V
- 連續(xù)漏極電流(Id):-25A
- 脈沖漏極電流(IDM):-60A
- 功率(Pd):90W
- 單脈沖雪崩能量(EAS):300mJ
- 工作溫度范圍:-55℃~+150℃
NCE60P25K作為高側(cè)開關(guān)的應(yīng)用優(yōu)勢:
- 低導(dǎo)通電阻(RDS(ON)) :NCE60P25K的導(dǎo)通電阻比較低,這意味著在開關(guān)過程中產(chǎn)生的功率損耗較小,從而提高了系統(tǒng)的整體能效。
- 高電流承載能力:NCE60P25K持續(xù)漏極電流(Id)為25A,表明它能解決較大的電流,適用高負(fù)載電子電路。
- 高密度電池設(shè)計和低柵極電荷:NCE60P25K采用高密度電池設(shè)計,進(jìn)一步降低了導(dǎo)通電阻,并且具有較低的柵極電荷,這使得其在高側(cè)開關(guān)電路中更加高效。
- 良好的熱性能和封裝設(shè)計:NCE60P25K采用TO-252封裝,具有良好的散熱性能,這對于高側(cè)開關(guān)在長時間運(yùn)行下的穩(wěn)定性和可靠性至關(guān)重要。
- 適用于高壓環(huán)境:NCE60P25K的漏源電壓高達(dá)60V,使其能夠應(yīng)對中高壓電子應(yīng)用中的電壓需求。這種特性使其在汽車電子、工業(yè)控制等領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用前景。
此外,NCE60P25K不僅適用于高側(cè)開關(guān),還可以用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、信號放大與處理電路等多種應(yīng)用場景,非常適合高電流負(fù)載應(yīng)用,在多種電子設(shè)計中表現(xiàn)出色,是一款多功能性和高性能的P溝道MOSFET。
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