南山電子代理品牌新潔能（NCE）是國內MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）品類最齊全且產品技術領先的公司，公司基于全球半導體功率器件先進理論技術開發先進產品，是國內率先掌握超結理論技術，并量產屏蔽柵功率MOSFET及超結功率MOSFET的企業，也是國內最早在12英寸工藝平臺實現溝槽型MOSFET、屏蔽柵MOSFET量產的企業。以下是新潔能12-300V N溝道MOSFET系列產品介紹，如需選型支持和小批量樣品，可以聯系南山半導體官方網站在線客服索取。
12-200V N-Channel Trench MOSFET:
- 技術特點：采用先進的工藝制造技術、更優的工藝條件、精細優化的器件結構不斷優化產品導通電阻、開關特性、可靠性等并持續推進產品迭代。
- 應用領域：廣泛應用于電機驅動、電池管理系統、負載開關、通信、消費電子等各個領域。
- 封裝形式：包括DFN1*1、DFN2*2、DFN3.3*3.3、DFN5*6、SOT-23、SOT-523、SOT-89、SOT-223、SOP-8、TO-251、TO-252、TO-220、TO-263、TOLL、TO-247等多種封裝形式。
| 12-200V N-Channel Trench MOSFET熱銷型號推薦 |
| NCE0104S |
NCE3404 |
NCE6008AS |
NCE0103M |
| NCE0157G |
NCE3404Y |
NCE6009AS |
NCE0103Y |
| NCE0105M |
NCE3400A |
NCE6010J |
NCE0104AN |
| NCE8295A |
NCE3400AY |
NCE6012AS |
NCE0106Z |
| NCE3030Q |
NCE3400 |
NCE6012CS |
NCE0106R |
30-250V N-Channel SGT-I MOSFET:
- 技術特點：以技術水平和卓越的質量管理保證了出色的產品性能和可靠性，在降低系統設計難度的同時，提供了性價比。憑借出色的導通電阻（RDS(on)）與品質因子（FOM，RDS(on)×Qg）可實現快速硬開關，大幅度增強了應用效率。
- 應用領域：廣泛應用于開關電源（SMPS）中的同步整流、DC電機控制、太陽能微型逆變器、電信及服務器電源以及不間斷電源（UPS）等領域。
- 封裝形式：包括TO-220、TO-252、TO-247、TO-263、TO-251、TOLL、DFN5*6、DFN3*3、SOP-8等多種封裝形式。
| 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET熱銷型號推薦 |
| NCEP025F90D |
NCEP40T11K |
NCEP8814S |
NCEP12T18 |
| NCEP30T22GU |
NCEP40T20ALL |
NCEP8814AS |
NCEP12T12D |
| NCEP1545A |
NCEP40T35ALL |
NCEP8818AS |
NCEP1250AK |
| NCEP019N10T |
NCEP40T17AT |
NCEP85T25T |
NCEP1290AK |
| NCEP40T15AK |
NCEP40T20AGU |
NCEP85T30T |
NCEP1212AS |
30-120V N-Channel SGT-II MOSFET:
- 技術特點：具有超低的導通電阻（RDS(on)）與超低柵極電荷（Qg）的特點，結合先進輕巧緊湊的封裝進一步提高了系統的功率密度與能量轉換效率。相比于新潔能上一代SGT-I系列產品，SGT-II系列產品特征導通電阻Ron,sp 降低20%，FOM值進降低20%，為設計人員進一步提高系統效率提供了更優的選擇。
- 應用領域：廣泛應用于直流電機驅動、鋰電池保護、AC/DC同步整流等領域。
- 封裝形式：包括TO-220、TO-252、TO-247、TO-263、TO-251、TOLL、DFN5*6、DFN3*3、SOP-8等多種封裝形式。
| 30-120V N-Channel SGT-II MOSFET熱銷型號推薦 |
| NCEP050N10MG |
NCEP033N85M |
NCEP039N10 |
NCEP085N10AS |
| NCEP25ND10AG |
NCEP031N85M |
NCEP039N10M |
NCEP082N10AS |
| NCEP045N85 |
NCEP028N85 |
NCEP035N10 |
NCEP25N10AR |
| NCEP050N10MD |
NCEP028N85M |
NCEP035N10M |
NCEP18N10AR |
| NCEP018N10LL |
NCEP026N85 |
NCEP033N10 |
NCEP080N10F |
30-250V N-Channel SGT-III MOSFET:
- 技術特點：相比于上一代產品，第三代產品特征導通電阻降低20%以上，ESD能力、大電流關斷能力、短路能力提升10%以上，同時具有更優的EMI特性，可以滿足客戶更高能效、更高可靠性的需求，產品性能及競爭力進一步提升。
- 應用領域：廣泛應用于電源管理和電機控制等領域。
- 封裝形式：包括TO-220、TO-247、TO-263、TOLL、DFN 3*3、DFN 5*6、DFN5*6等多種封裝形式。
| 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET熱銷型號推薦 |
| NCEP008NH40GU |
NCEP088NH150GU |
NCEP015NH30AQU |
NCEP055NH40GU |
| NCEP023NH30GU |
NCEP008NH40ASL |
NCEP015NH30GU |
NCEP055NH40AGU |
| NCEP040NH150LL |
NCEP018NH30QU |
NCEP015NH30AGU |
NCEP011NH40GU |
| NCEP011NH25QU |
NCEP023NH85GU |
NCEP015NH100LL |
NCEP015NH40GU |
| NCEP048NH150T |
NCEP014NH60GU |
NCEP058NH150 |
NCEP011NH40AGU |
