最新上架
更多- SC1808JKNPOWBN220國巨安規電容器選型資料-YAGEO電容代理
- 君耀SMBJ15CA tvs瞬態二極管選型資料/現貨價格/免費樣品-國巨君耀代理商
- 國巨CC0402KRX7R6BB104與基美C0402C104K8RACTU電容器對比分析
- NCEP039N10D：新潔能超級溝槽II代MOSFET的卓越性能與應用
- Yageo高壓柔性端頭電容CS1206JKNPOZBN472參數規格-選型手冊-免費樣品
- 國巨君耀ESD靜電保護期間LBD52A24L01和LBT23C24L02的異同與選型建議
- 國巨君耀tvs二極管：SMAJ6.0CA 與 SMBJ6.0CA的異同及選用指南
- 風華抗浪涌貼片電阻RAG-06K101JT與通用貼片電阻RS-06K101JT對比與選型
- 長晶科技CJ431與CJ431K電壓基準芯片異同點分析與選用建議
- 長晶科技與UTC的2N7000 N溝道MOSFET參數異同及選用指南
長晶科技與UTC的2N7000 N溝道MOSFET參數異同及選用指南
在現代電子系統中，場效應晶體管（MOSFET）作為核心功率開關器件，其性能優劣直接影響電路效率、可靠性及整體成本。2N7000作為經典的小功率N溝道MOSFET，憑借其低導通電阻、快速開關特性及緊湊封裝，被廣泛應用于便攜設備電源管理、電機控制、信號切換等領域。本文參考官方的規格書，對比了友順（UTC）和長晶科技（JSCJ）生產的2N7000 MOSFET的參數異同，并提供選用建議。
一、相同點
1、最大漏源電壓（VDSS）
兩款器件的最大漏源電壓均為60V，適用于低壓至中壓的開關場景。
2、封裝形式
均采用TO-92封裝，引腳排列一致（源極、柵極、漏極），兼容性高，便于替換設計。
3、基礎應用場景
均推薦用于便攜設備負載開關、DC/DC轉換器等低功率電路，滿足小信號切換與電源管理需求。
二、不同點
| 參數/型號 | 長晶科技 2N7000 | UTC 2N7000 | 差異分析 |
|---|---|---|---|
| 導通電阻（RDS(on) (Max) | 5Ω@10V 6Ω@4.5V |
7.5Ω@10V 7.5Ω@5V |
高壓（10V）下長晶科技效率更高； 低壓（4.5V vs. 5V）測試條件不同，需結合實際電壓評估。 |
| 連續漏極電流（ID） | 200mA | 115mA | 長晶科技持續負載能力更強，適合長時間工作場景。 |
| 最大功耗（PD） | 0.625W | 400mW | 長晶科技散熱設計更優，可承受更高功率。 |
| 門限電壓（VGS(th)） | 0.8V~3V | 1V~2.5V | UTC門限范圍更集中，驅動電路設計更簡單； 長晶科技下限低至0.8V，兼容超低電壓系統（如3.3V）。 |
三、選用建議
1、高壓場景（≥10V）
選長晶科技：導通電阻更低（5Ω@10V），損耗更小，適合12V電源或DC/DC轉換。
2、低壓驅動（4.5V~5V）
4.5V系統選長晶（6Ω@4.5V）；5V系統看成本（兩者導通電阻相近）。
3、持續大電流需求
選長晶科技：連續電流200mA，散熱更強，適合長時間工作。 4、超低電壓控制（如3.3V）
長晶更優：門限電壓下限0.8V，易觸發導通。
5、輕載低成本場景
可選UTC：適合信號切換或邏輯控制（電流≤100mA），降低成本。
長晶科技2N7000在高壓效率、持續負載能力及散熱性能上占據優勢，適合中功率場景；UTC 2N7000則以門限電壓集中性和低成本為特點，適用于簡單開關電路。工程師應根據具體電壓、電流需求及成本預算，結合實測驗證，選擇最優方案。
南山電子是長晶科技與友順UTC原廠授權代理商。歡迎咨詢選購2N7000 MOSFET，如需更多產品信息請咨詢南山半導體官方網站在線客服。
