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新潔能30-100V P溝道第一代屏蔽柵溝槽型場效應管（P-Channel SGT-I MOSFET）系列產品介紹

發布時間：2024-11-07 品牌：新潔能(NCE) 瀏覽量：293

SGT MOSFET，即屏蔽柵溝槽型場效應管，又稱“Super Trench MOSFET”，是在傳統溝槽型場效應管的基礎上發展而來的一種新型功率半導體器件。上篇文章-新潔能12-150V P溝道溝槽型場效應管（P-Channel Trench MOSFET）系列產品介紹中，講述的是新潔能P溝道傳統溝槽型場效應管，今天給大家介紹一下新潔能30-100V P溝道第一代屏蔽柵溝槽型場效應管（P-Channel SGT-I MOSFET）系列產品。

新潔能提供擊穿電壓等級范圍為-30V至-100V的P溝道SGT-I系列功率MOSFET產品。基于SGT-I技術的-30~-100V P溝道功率產品提供超低的導通電阻（RDS(on)），為設計人員在簡化系統復雜度、降低系統總成本的前提下，還進一步提高了系統效率與性能。廣泛應用于電池保護、負載開關、電機控制及低壓驅動等應用中。P溝道SGT-I系列功率MOSFET封裝范圍包括TO-220、TO-252、TO-263、DFN5*6、SOP-8等多種封裝形式，為設計人員優化系統提供解決方案。

產品特點:

P溝道增強型功率MOSFET系統成本低，設計難度低。此類型的MOSFET在降低系統設計復雜度上有天然的優勢，獨特的柵極負壓開啟機制，使得P溝道功率MOSFET成為高端開關的理想選擇。P溝道功率MOSFET產品的選用可以簡化柵極驅動，往往可以降低系統的總成本，為設計人員提供了一種新的選擇。此外，P溝道功率MOSFET產品利用空穴作為載流子進行導電，其遷移率低于N溝道功率MOSFET中的載流子電子，同等情況下，P溝道功率MOSFET產品導電性能弱于N溝道功率MOSFET產品。

SGT MOSFET及其優勢:

提升功率密度:
SGT工藝比普通溝槽工藝挖掘深度深3-5倍。在柵電極下方增加了一塊多晶硅電極，即屏蔽電極或稱耦合電極。屏蔽電極與源電極相連，即實現了屏蔽柵極與漂移區的作用，減小了米勒電容以及柵電荷，器件的開關速度得以加快，開關損耗低。同時又實現了電荷耦合效應，減小了漂移區臨界電場強度，器件的導通電阻得以減小，與普通溝槽式MOSFET相比，SGT MOSFET的內阻要低2倍以上。
極低的開關損耗：
SGT工藝相對傳統Trench結構，具有低Qg 的特點，它的技術革新改變了MOSFET內部電場的形態，將傳統的三角形電場變更為梯形電場，可以進一步減小EPI層的厚度，降低導通電阻Rds(on)，有助于降低器件在開關電源應用中的開關損耗。
更好的EMI優勢和抗雪崩EAS能力:
由于SGT MOSFET具有較深的溝槽深度，可以利用更多的晶硅體積來吸收EAS能量，所以SGT在雪崩時性能更強，更能承受雪崩擊穿和浪涌電流。同時SGT結構中寄生的CD-shield和Rshield可以吸收器件關斷時dv/dt變化帶來的尖峰和震蕩，具有更好的EMI特性。

產品應用：

電池保護：30-100V P-Channel SGT-I MOSFET用于電池保護電路中，以防止電池的過充或過放電。
負載開關：在負載開關電路中，30-100V P-Channel SGT-I MOSFET用于控制后級負載的電源開關。這種開關電路可以通過數字I/O引腳進行控制，具有簡單且高效的特點。
電機控制：在電機控制電路中，30-100V P-Channel SGT-I MOSFET作為電機的驅動器件，調節電壓的變化，控制電機的啟停和轉速。
低壓驅動：30-100V P-Channel SGT-I MOSFET可應用在低壓驅動中特別是在需要低導通阻抗和低電壓降的場合。例如，在電源管理中，用于實現高效的電源開關控制，從而優化電源效率。

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