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新潔能SiC MOSFET系列產品NCES120R062T4，NCES075R026T4，NCES120R018T4，NCES120P035T4，NCES120R036T4，NCES075R026T，NCES120P075T4
SiC MOSFET是近年來MOSFET行業進行技術迭代的主要方向，相較于其他可用技術，碳化硅MOSFET表現出顯著的性能提升，為眾多電子應用帶來了新的可能性。南山電子代理品牌新潔能（NCE）在目前已開發完成1200V 23mohm~62mohm SiC MOSFET系列產品，新開發650V SiC MOSFET工藝平臺，用于新能源汽車OBC、光伏儲能、工業及自動化等行業，相關產品已通過客戶驗證，并實現小規模銷售；并已開發更多的第三代半導體芯片代工廠，相關產品已實現工程產出。新潔能SiC MOSFET系列產品具體型號為：NCES120R062T4，NCES075R026T4，NCES120R018T4，NCES120P035T4，NCES120R036T4，NCES075R026T，NCES120P075T4，以下為詳細介紹：
技術特點:
- 電流密度大：新潔能SiC MOSFET能夠承受更大的電流密度，即單位面積上可以通過更大的電流，這使得其在相同體積下能夠提供更高的輸出功率。
- 擊穿電壓高：新潔能SiC MOSFET的擊穿電壓遠高于傳統的硅基MOSFET。SiC材料的擊穿電場強度是硅的10倍，因此SiC MOSFET可以承受更高的電壓，適合于高電壓應用場合。
- 損耗低：一般來說，半導體器件的導通損耗與其擊穿場強成反比。因此，在相似的功率水平下，SiC器件的傳導損耗比Si器件小得多。
- 短路能力優良：新潔能SiC MOSFET具有優良的短路能力，為應用中的突發狀況提供充足的裕量。
- 超低開關損耗：帶有額外的開爾文引腳的TO-247-4P封裝可以繞過控制回路上的源極引線電感，降低SiC MOSFET的寄生效應并進一步降低器件的開關損耗。
主要參數:
| 產品型號 | 封裝 | BVDSS(V) | ID(A) | QG(nC) | PD(W) |
|---|---|---|---|---|---|
| NCES120R062T4 | TO-247-4L | 1200 | 26 | 64 | 115 |
| NCES120R036T4 | 1200 | 50 | 92 | 235 | |
| NCES075R026T4 | 750 | 56 | 94 | 176 | |
| NCES075R026T | 750 | 56 | 94 | 176 | |
| NCES120R018T4 | 1200 | 81 | 174 | 312 | |
| NCES120P075T4 | 1200 | 36 | 60 | 146 | |
| NCES120P035T4 | 1200 | 66 | 150 | 278 |
應用領域:
- 光伏逆變器：新潔能SiC MOSFET在光伏逆變器中普遍使用，使用基于SiC MOSFET的光伏逆變器，轉換效率可以從96%提升至99%以上，能量損耗降低50%以上。并且SiC MOSFET能夠在高溫等惡劣環境中工作，有利于提高光伏逆變器的使用壽命。
- 充電樁：在電動車充電樁中，新潔能SiC MOSFET產品用于直流快充的功率逆變器和 DC/DC 轉換器等電路中，能夠實現高效率和高頻率的電能轉換，提供更快的充電速度。
- 基站電源：新潔能SiC MOSFET具有低導通電阻和高溫工作能力，使其在高溫環境下依然能夠保持穩定運行，這對于基站等需要在高溫環境中工作的設備尤為重要。
南山電子是新潔能公司授權代理商，倉庫現貨超過200k，可以為各類新產品設計提供小批量樣品快速發貨服務，歡迎咨詢選購新潔能SiC MOSFET系列產品，如需了解產品最新報價請咨詢南山半導體官方網站在線客服。
