解決方案
最新上架
更多- 新潔能30-120V N溝道SGT-II系列功率MOSFET 產(chǎn)品介紹(第二代屏蔽柵溝槽NMOS管)
- 用于反向極性保護(hù)電路的MOSFET:新潔能NCE2333Y P溝道場(chǎng)效應(yīng)Mos管
- 新潔能500-800V N溝道SJ-III系列功率MOSFET 產(chǎn)品介紹(第三代超結(jié)NMOS管)
- 新潔能600-650V N溝道第三代超結(jié)TF場(chǎng)效應(yīng)管(N-Channel SJ-III TF MOSFET)系列產(chǎn)品介紹
- 新潔能N+P溝道互補(bǔ)式場(chǎng)效應(yīng)管(Complementary MOSFET)系列產(chǎn)品介紹
- 新潔能N溝道和P溝道雙芯場(chǎng)效應(yīng)管(N and P-Channel Dual MOSFET)系列產(chǎn)品介紹
- 新潔能N溝道600-750V系列IGBT產(chǎn)品介紹/型號(hào)推薦/最新IGBT價(jià)格
- 新潔能N溝道功率MOSFET NCE4009S,滿足充電器、適配器等需求
- 新潔能國(guó)產(chǎn)N溝道溝槽型MOSFET NCE3050K選型資料/ 應(yīng)用分析/MOS管最新價(jià)格
- 新潔能國(guó)產(chǎn)MOS管NCE0106Z:UPS不間斷電源的解決方案
愛普生4腳高頻低抖動(dòng)晶振SG2016CBN/SG2520CBN選型資料
與SG2016VGN和SG2520EHN六腳多輸出低抖動(dòng)高頻差分晶振不同。愛普生的2024年下半年開始量產(chǎn)的兩款SG2016CBN和SG2520CBN系列不借助六腳差分輸出方式獲得高精度和低抖動(dòng)特性,而是在通用的4腳有源晶振基礎(chǔ)上的工藝技術(shù)提升,輸出波形為CMOS,而不是LVDS和LV-PECL。隨著數(shù)字媒體的快速發(fā)展,通訊網(wǎng)絡(luò)設(shè)備對(duì)于圖像、音頻的傳輸要求越來越高。為了更好的適配這一需求,愛普生正式發(fā)布高頻率、低抖動(dòng)晶體振蕩器SG2016CBN和SG2520CBN系列。它們采用愛普生新型低噪聲整數(shù)N鎖相環(huán)技術(shù)(Integer-NPLL),支持從75MHz到170MHz的高頻率區(qū)間,最低全溫頻率容差僅為±15ppm,工作溫度最高可達(dá)125℃,并且低抖動(dòng)典型值僅為0.3ps,非常適合需要高頻、低抖動(dòng)時(shí)鐘的應(yīng)用,例如網(wǎng)絡(luò)設(shè)備和圖像/音頻傳輸。兩者在性能是精度、相位噪聲、功耗電流,引腳方式等都一致,主要區(qū)別是外部尺寸的差異。
愛普生代理商-南山電子可以快速為客戶提供這兩款高頻低抖動(dòng)晶振樣品,具體請(qǐng)與南山電子官方網(wǎng)站(www.moxing188.cn)客服聯(lián)系,或訪問南山電子官方商城小批量購(gòu)買。
相位抖動(dòng)與工作電壓
相位噪聲與便宜頻率曲線
性能特點(diǎn)
- 型號(hào)示例和含義說明:SG2016CBN 156.250000MHz TJJSA(2016 156.25MHz 50ppm@-40~+125℃,1.8V/3.3V)
- 尺寸:SG2016CBN:2.0x1.6x0.6mm;SG2520CBN:2.5x2.0x0.74mm
- 頻率范圍(fo):75MHz至170MHz;
- 標(biāo)準(zhǔn)頻率值:目前量產(chǎn)4個(gè)標(biāo)準(zhǔn)頻率:100MHz,125MHz、150MHz、156.25MHz。標(biāo)準(zhǔn)頻率為貨架產(chǎn)品,可以快速下單訂貨。其它頻率可以生成,但交期較長(zhǎng)。
- 電源電壓(VCC):1.62V至3.63V
- 電流消耗(ICC):12.5mA典型值/16.6mA最大值(fo=156.25MHz,VCC=3.3V),最大12.4mA(fo=125MHz,VCC=3.3V)
- 全溫頻率容差(f_tol):±25xppm/50ppm(-40°C至+125°C)/±15ppm(-40°C至+105°C)
- 相位抖動(dòng)(tPJ):0.3ps(典型值)(偏移頻率:12kHz至20MHz)
- 引腳數(shù):4腳,第一腳可選OE或SE,選型時(shí)需要注意確定型號(hào)。
- 波形輸出;CMOS