陶瓷電容按照介質(zhì)材料的不同可分為3類（美國(guó)電工協(xié)會(huì)標(biāo)準(zhǔn)）即：Ⅰ類的介質(zhì)材料為C0G或NP0；Ⅱ類的介質(zhì)材料為X7R；Ⅲ類的介質(zhì)材料為Y5V。

一 疊層陶瓷電容器的構(gòu)成
內(nèi)電極導(dǎo)體一般為Ag或AgPd，陶瓷介質(zhì)一般為BaTiO3， 多層陶瓷結(jié)構(gòu)通過高溫?zé)Y(jié)而成。器件端頭鍍層（外電極）一般為燒結(jié)Ag/AgPd，然后制備一層Ni阻擋層(以阻擋內(nèi)部Ag/AgPd材料，防止其和外部Sn發(fā)生反應(yīng))，再在Ni層上制備Sn或SnPb層用以焊接。近年來，也出現(xiàn)了端頭使用Cu的MLCC產(chǎn)品。



二 陶瓷電容的工藝制程



三 陶瓷電容的特點(diǎn)
3.1 貼片陶瓷電容的體積可以做的很小，節(jié)省了電路板上的空間，使產(chǎn)品輕、薄化。

3.2貼片陶瓷電容的高頻能力較好。

3.3 成本低，便于大批量生產(chǎn)。

3.4 工作電壓的范圍大。

3.5 穩(wěn)定性高，耐高溫，絕緣性能好。

3.6 容值較低。

四 選型重要參數(shù)
4.1 電容量
Ⅰ類陶瓷電容的電容量低，穩(wěn)定性好。Ⅱ類陶瓷電容的介電常數(shù)大，容量比Ⅰ類的幾十倍，但溫度在工作溫度范圍內(nèi)變化時(shí)容量變化在10%左右。Ⅲ類的介電常數(shù)比Ⅱ類更高，容量比Ⅱ類可以大5倍，但其對(duì)溫度、電壓變化更為敏感。

4.2 ESR/ESL
ESR相對(duì)鋁電解電容來說較小，可以用作高頻濾波。

4.3 使用頻率
可以在幾百M(fèi)Hz至1GHz使用

4.4 結(jié)構(gòu)薄弱點(diǎn)
應(yīng)考慮彎曲的張力對(duì)于陶瓷電容的影響。



可以通過在電極兩端加焊引腳吸收電路板上的張力。