大家好,今天來給大家介紹下圓形
瓷片電容的分類和規格參數,
瓷片電容可分為低壓低功率瓷片電容和高壓高功率瓷片電容,在低壓低功率中又可分為I型(CC型)和II型(CT型)。
I型瓷片電容(CC型)特點是體積小, 損耗低,電容對頻率,溫度穩定性都較高,常用于高頻電路。
II型瓷片電容(CT型)特點是體積小,損耗大,電容對溫度頻率,穩定性都較差,常用于低頻電路。
CC1型圓片高頻瓷片電容
適用于諧振回路及其他電路做溫度補償,耦合,隔直使用。損耗:《0.025絕緣
電阻:10000mohm 試驗電壓:200v
允許偏差:5p(+-0.5p) 6-10p(+-1P) 10p以上(J,K,M)溫度系數:-150--- -1000PPM/C環境溫度:-25—85C 相對濕度:+40C時達96%
CT1型圓形低頻瓷片電容:
環境溫度:-25—85C 相對濕度:+40C時達96%工作電壓50V電容范圍和允差:101—472 (+-10%) 472-403(+80-- -20%)
CC01圓形瓷片電容:
環境溫度:-25—85C 相對濕度:+40C時達96% 大氣壓力750+-30mmhg允許偏差:5p(+-0.5p) 6-10p(+-1P) 10p以上(J,K,M)
溫度系數:1—4P +120(+-60)PPM 4—56P –47(+-60)PPM
56—180P –750(+-250)PPM
180—390P –1300(+-250)PPM
430—820P –3300(+-500)PPM
CT01圓形瓷片電容:
環境溫度:-25—85C 相對濕度:+40C時達96% 大氣壓力750+-30mmhg損耗《0.05絕緣電阻:1000mohm
允差:+80 -20%容量:1000-47000p
工作電壓:63v 試驗電壓:200v
CC4D獨石瓷片電容
環境溫度:-55—85C 相對濕度:+40C時達98% 大氣壓力666.6PA損耗《15*10(-4)容量:100-100000p工作電壓:40v 試驗電壓:120v
CT4D獨石瓷片電容
環境溫度:-55—85C 相對濕度:+40C時達98% 大氣壓力1000PA損耗《0.035容量:0.033-2.2uf工作電壓:40v-100v 試驗電壓:3UW允差:+80-20%
CC2,CT2管形瓷片電容
與片形瓷片電容相比,機械強度高,用作旁路時內電極屏蔽性能好,用在高頻電阻雜散耦合好,缺點是固有諧振頻率低,制造工藝復雜,產量低。
CT2 損耗《0.04絕緣電阻<1000mohm 試驗電壓:480v
使用條件:-55—85c相對濕度:40C時達98%
CC10 超高頻瓷片電容
可用于《500MHZ下,環境溫度:-55—85C 相對濕度:+40C時達98% 壓力33mmhg 震動強度:加速度10g 沖擊:加速度25g 離心:加速度15g
允差:k容量:1-47p工作電壓:500v
CC11,CT11園片無引線瓷片電容
該電容特為高頻頭設計,頻率特性好。
CC11直流電壓:250V標稱容量:3—39P損耗:《0.0015 絕緣》10000mohm
CT11直流電壓:160V標稱容量:240—1500 絕緣》2500mohm
CT82,CC82高壓高功率瓷片電容:
環境溫度:-25—85C 相對濕度:+40C時達98%大氣 壓力40000PA 震動:加速度15g 沖擊:加速度15g額定電壓:1—4kv 試驗電壓:2.5—8kv允差:K,M
CC3,CCTD型疊片瓷片電容器CCTF型方形疊片瓷片電容
CC3損耗《0.0015 容量:33-1000P 允差:K,M 工作電壓:100V
CCTD損耗《0.035 容量:470-33000P 允差:+80-20% 工作電壓:250V
CCTF損耗《0.04 容量:10000-47000P 允差:+80-20% 工作電壓:160V
CC53,CC52,CT53,CT52穿心式瓷片電容
該類電容使用于VHF,UHF調諧器和其他無線電設備中做高低頻旁路濾波用。
CC52E-1C 容量:2-33P工作電壓:63V 絕緣電阻:10000mohm損耗:《0.0015
CC53-2C 容量:1000-1500P工作電壓:160V 絕緣電阻:1000mohm損耗《0.035
CT87鼓形高壓低頻瓷片電容,該電容主要使用于電子設備的脈沖電路。CC87-1 容量:470P工作電壓:10KV 絕緣電阻:10000mohm
CCG81型板形高功率瓷片電容:使用于大功率高頻電子設備中。容量:1000P 工作電壓20KV(高頻15KV) 額定無功功率:100KVA可達電流:25A 可達重量:1.3KG
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