光耦（光電耦合器）除了常用的晶體管光耦等，達林頓管光耦還有多種高速光耦、可控硅光耦和IGBT光耦和IMP光耦等等，不同類型的類型，需要側重了解的參數也有一定差異。
以下是南山半導體電商部同事初步整理的部分參數。不同的光耦類型，可能只需要考慮其中部分的參數特點。也有一些特殊光耦的參數沒有在列出來。如果您正在準備使用國產高端光耦來替代日本東芝光耦型號和中國臺灣的光寶與億光品牌，請通過南山半導體官方網站在線客服，要求技術工程師協助您做參數對比。和選型替換支持。同時作為國產光耦品牌奧倫德授權代理商（經銷商），南山電子還可以為你快速提供光耦樣品和小批量訂單服務。助力您的產品研發快速推薦，并確保批量購買時光耦參數性能具有良好的一致性。
1. 隔離特性參數
- 隔離電壓（Isolation Voltage,Viso(Vrms)）
表示輸入與輸出端之間能承受的最高電壓（通常為AC有效值或DC值），典型值1kV至5kV，用于電氣隔離設計。以南京南山半導體有限公司代理的國產光耦品牌奧倫德為例，其光耦隔離電壓主要是3750V和5000V為主。 - 隔離電阻（Isolation Resistance, R_iso或RISO）
輸入與輸出端間的絕緣電阻，通常>10¹²Ω，影響抗干擾能力。 - 隔離電容（Isolation Capacitance, C_iso或CISO）
輸入端與輸出端間的寄生電容，高頻應用中需盡量降低（通常<1pF）。
2. 輸入側參數
- 正向電壓（Forward Voltage, V_F或VF）
LED導通所需的最小壓降，典型值1.1V~1.5V，需匹配驅動電路電壓。 - 正向電流（Forward Current, I_F或IF）
LED工作電流范圍（如10mA~50mA），決定光耦傳輸效率。 - 反向電壓（Reverse Voltage, V_R或VR）
LED反向耐壓值（通常≤5V），防止反向擊穿。
3. 輸出側參數
- 集電極-發射極電壓（Collector-Emitter Voltage, V_CEO或VCEO）
輸出晶體管最大耐受電壓（如30V~80V），需高于負載電壓。 - 集電極電流（Collector Current, I_C或IC）
輸出晶體管最大允許電流（如10mA~100mA），需考慮負載功耗。
4. 傳輸特性參數
- 電流傳輸比（Current Transfer Ratio, CTR）
輸出電流與輸入電流的百分比（如20%~600%），直接影響信號放大能力。
公式：CTR = (I_out / I_in) × 100% - 響應時間（Response Time）
- 開啟時間（Turn-On Time, t_on）：輸入信號到輸出達90%的時間（如2μs~20μs）。
- 關斷時間（Turn-Off Time, t_off）：輸入斷開到輸出降至10%的時間（如3μs~50μs）。
高速光耦（如6N137）t_on/t_off可低至20ns。
5. 環境參數
- 工作溫度（Operating Temperature, T_op或Top）
典型范圍-40℃~+110℃，高溫下CTR會衰減（需降額使用）。
應用場景示例
- 電源反饋回路：優先選擇高CTR（如300%以上）和低C_iso的光耦（如奧倫德ORPC和億光817PC817等）。
- 數字信號隔離：需關注響應時間，高速場景選t_on/t_off < 1μs的型號（如奧倫德OR-2531和東芝TLP2361等）。
- 工業控制：需寬溫度范圍（-40℃~+125℃）和高V_iso（如5kV）的光耦（如奧倫德光耦型號ORPC-814和博通HCPL-3700）。
通過以上參數組合，可快速篩選適合不同場景的光耦型號，同時避免過設計或參數不足導致的失效風險。
