可靠性實(shí)驗(yàn)室獲得國(guó)家認(rèn)可.png)
晶圓級(jí)封裝MOSFET的產(chǎn)品，通俗而言即充放電控制器件，可以對(duì)鋰電池進(jìn)行充電保護(hù)，改善電池系統(tǒng)的性能和安全，在長(zhǎng)晶科技以前，全球只有美國(guó)和日本的個(gè)別企業(yè)可以規(guī)模量產(chǎn)該產(chǎn)品。
長(zhǎng)晶科技2020年底，公司在浦口經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)投資建設(shè)長(zhǎng)晶浦聯(lián)封測(cè)基地，實(shí)現(xiàn)了封裝測(cè)試環(huán)節(jié)的自主可控。隨著長(zhǎng)晶MOSFET和IGBT等功率器件的國(guó)產(chǎn)化需求旺盛，首期產(chǎn)能迅速飽和。長(zhǎng)晶mos管和IGBT管實(shí)現(xiàn)了自己研發(fā)、自己封裝，逐步打造從單管到模塊的全規(guī)格覆蓋，當(dāng)前在家電、變頻伺服、光伏儲(chǔ)能、直流充電樁、汽車OBC等行業(yè)客戶端已實(shí)現(xiàn)規(guī)模化量產(chǎn)。
作為為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體功率器件企業(yè)，自2019年開(kāi)始，長(zhǎng)晶科技連續(xù)5年被中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)評(píng)為“中國(guó)半導(dǎo)體功率器件十強(qiáng)企業(yè)”，并在海內(nèi)外多地設(shè)立研發(fā)中心、子分公司或辦事處，產(chǎn)品系列和型號(hào)超20000個(gè)。預(yù)計(jì)今年四季度，長(zhǎng)晶科技封測(cè)基地一期廠房將全面投產(chǎn)，功率器件國(guó)產(chǎn)化替代跑出“加速度”。員工人數(shù)從2018年的30人快速增長(zhǎng)到2024年的1700人左右。
2024年9月，隨著長(zhǎng)晶功率器件一期封測(cè)廠房擴(kuò)產(chǎn)升級(jí)工作順利收官，這家專業(yè)從事半導(dǎo)體產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的高科技公司，迎來(lái)發(fā)展歷程中的又一里程碑。本次擴(kuò)產(chǎn)后，除了滿足工業(yè)級(jí)功率器件市場(chǎng)需求外，也為汽車主驅(qū)、輸配電等應(yīng)用的車規(guī)MOSFET和IGBT產(chǎn)品布局，做好了物質(zhì)基礎(chǔ)。
長(zhǎng)晶科技自主研發(fā)的晶圓級(jí)封裝MOSFET產(chǎn)品，經(jīng)過(guò)江蘇省工業(yè)和信息化廳鑒定，總體處于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先、國(guó)際先進(jìn)水平。在國(guó)內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)并替代進(jìn)口品牌，目前正在研發(fā)迭代下一代技術(shù)，以進(jìn)一步提升器件性能，實(shí)現(xiàn)彎道超車。
南京南山半導(dǎo)體是長(zhǎng)晶MOSFET和IGBT功率器件和二三極管等全線產(chǎn)品的授權(quán)經(jīng)銷商。隨著本次長(zhǎng)晶功率器件封裝廠房擴(kuò)建完成，相信能夠進(jìn)一步幫助國(guó)產(chǎn)功率器件在價(jià)格、一致性穩(wěn)定性和晶圓交期取得進(jìn)一步優(yōu)勢(shì)。
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