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國巨君耀半導體放電管P61089B YAGEO晶閘管TSS華東代理商-南山電子

更新時間:2024-09-10 16:38:28 發布人:國巨代理商-南山電子 品牌:國巨(YAGEO) 瀏覽量:917

浪涌抑制晶閘管P61089B是國巨君耀推出的SOP-8封裝雙線可編程瞬態電壓抑制器,也是半導體放電管(Thyristor Surge Suppressors,簡稱TSS)。具有低動態開關電壓,-155V寬負點火電壓(VMGL ),IGT電流上限5mA,保持電流上限大于150mA,10 ~ 100 pf結電容的特性,可以滿足數據傳輸和低功耗電路的質量要求。需要注意的是其本體絲印是H61089B

國巨君耀浪涌抑制晶閘管有SOP8、SMA、SMB三種封裝,P61089B是截至2004年9月量產的唯一一款SOP8封裝的半導體放電管。

半導體放電管P61089B采用半導體工藝制成的PNPN結四層結構器件,具有典型的開關特性,主要用于保護電路免受過電壓的損害,特別是在異常過電壓出現浪涌電流時,能夠快速導通并泄放超出正常需要的電流,從而保護后端設備。

優點:

  • P61089B不會老化,并在短路時提供故障安全模式,以提供更好的保護。
  • 該裝置專為保護2個新的高壓以及經典的SLIC免受瞬態過電壓而設計。
  • 正過電壓由2個二極管箝位。負浪涌由2個晶閘管抑制,它們的擊穿電壓通過柵極參考-VBAT。
  • 具有非常低的柵極觸發電流(IGT),以減少啟動階段電路板上的電流消耗。
  • P61089B不會老化,并在短路時提供故障安全模式,以提供更好的保護。如果電子設備需要通過UL1950、IEC950/CSA C22.2、UL1459和FCC第68部分的認證,建議選用P61089B這款雙線可編程瞬態電壓抑制器。

特點

  • 雙線可編程瞬態電壓抑制器
  • 低動態開關電壓:VFP和VDGL
  • 寬負點火電壓范圍:VMGL=-155V
  • 低柵極觸發電流:IGT≤5mA
  • 保持電流:IH>150mA
  • 無鹵素,符合環保要求;
  • 標記(marking):H61089B

 

引腳說明

P61089B封裝與引腳說明

額定值表:

P61089B晶閘管最大額定值表